Samsung กำลังผลิต DDR5 DRAM ที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรมเป็นจำนวนมาก โดยบริษัทประกาศเมื่อวันอังคารที่ผ่านมา
EUV DDR5 DRAM ขนาด 14 นาโนเมตรใหม่มีขนาดเพียง 14 นาโนเมตร และใช้เทคโนโลยีอัลตราไวโอเลตสุดขั้ว (EUV) ห้าชั้น สามารถเข้าถึงความเร็วสูงสุด 7.2 กิกะบิตต่อวินาที ซึ่งมากกว่าความเร็ว DDR4 ถึงสองเท่า ซัมซุงยังอ้างว่าเทคโนโลยี EUV ใหม่ทำให้ DDR5 DRAM มีความหนาแน่นของบิตสูงสุด ในขณะที่เพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน 20% และลดการใช้พลังงานลง 20%
EUV มีความสำคัญมากขึ้นเรื่อยๆ เนื่องจาก DRAM มีขนาดเล็กลงเรื่อยๆ ช่วยปรับปรุงความแม่นยำของรูปแบบ ซึ่งจำเป็นสำหรับประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและผลตอบแทนที่มากขึ้น Samsung กล่าวการย่อขนาดให้เล็กสุดของ 14nm DDR5 DRAM ไม่สามารถทำได้ก่อนที่จะใช้วิธีการผลิตอาร์กอนฟลูออไรด์ (ArF) แบบเดิม และบริษัทหวังว่าเทคโนโลยีใหม่นี้จะช่วยตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพและความจุที่เพิ่มขึ้นในด้านต่างๆ เช่น 5G และปัญญาประดิษฐ์
ในอนาคต Samsung กล่าวว่าต้องการสร้างชิป DRAM ขนาด 24Gb 14nm เพื่อตอบสนองความต้องการของระบบไอทีทั่วโลก นอกจากนี้ยังวางแผนที่จะขยายพอร์ตโฟลิโอ 14nm DDR5 เพื่อรองรับศูนย์ข้อมูล ซูเปอร์คอมพิวเตอร์ และแอปพลิเคชันเซิร์ฟเวอร์ระดับองค์กร
